STP18N10FI PDF资料下载(5/7 页)TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS

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STP18N60M2	制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STP18N60M2 Series 600 V 13 A 0.28 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Power MOSFET Nch MDmesh II plus 600V 13A
STP18N65M2	功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50
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功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50

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STP18N65M2

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STP18N65M5

功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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型号：	STP18N10FI
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-220VAR
中文描述：	晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\| 11A条（丁）\|对220VAR
文件页数：	5/7页
文件大小：	346K
代理商：	STP18N10FI

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