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参数资料
| 型号： | STP19N05L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 50V五（巴西）直| 19A条（丁）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | STP19N05L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2000QFP | I/O Controller |
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| STP2003PQFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP2003QFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP19N06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP19N06FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP19N06L | 功能描述:MOSFET REORD 511-STP20NE06L TO-220 N-CH 60V 19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP19N06LFI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
| STP19NB20 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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