参数资料
型号: STP20NM60A
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述: 250 的低电流运算,低反向泄露,低噪声稳压二极管
文件页数: 2/7页
文件大小: 134K
代理商: STP20NM60A
2
2001 Semtech Corp.
www.semtech.com
PROTECTION PRODUCTS
Absolute Maximum Rating
STF201-22 & STF201-30
Electrical Characteristics
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PDF描述
STF20NF06 N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STF20N20 N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
STFE16-5MNAT ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.35MM NATUR 5M
STFE18-5MNAT ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.07MM NATUR 5M
STFE20-5MNAT Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):4A; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
相关代理商/技术参数
参数描述
STP20NM60FD 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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STP20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP210N75F6 功能描述:MOSFET N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP210NF02 功能描述:MOSFET N-Ch 20 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube