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参数资料
| 型号： | STP20NM60A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低电流运算，低反向泄露，低噪声稳压二极管 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | STP20NM60A |
3
2001 Semtech Corp.
www.semtech.com
PROTECTION PRODUCTS
Typical Characteristics
STF201-22 & STF201-30
ESD Clamping (8kV Contact)
Typical Insertion Loss
ESD Clamping (15kV Air)
0.030MHz
2.0GHz
0 dB
-10 dB
-20 dB
Analog Crosstalk (D+ to D-)
0.030 MHz
1 GHz
0 dB
-20 dB
-60 dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STF20NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET |
| STF20N20 | N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET |
| STFE16-5MNAT | ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.35MM NATUR 5M |
| STFE18-5MNAT | ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.07MM NATUR 5M |
| STFE20-5MNAT | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):4A; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP20NM60FD | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP20NM60FP | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP20NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP210N75F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP210NF02 | 功能描述:MOSFET N-Ch 20 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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