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参数资料
型号： STP9NK60ZFD
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.85 OHM 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK FAST DIODE SUPERMESH POWER MOSFET
中文描述： N沟道600V的0.85欧姆第7A TO-220/TO-220FP/D2PAK快速二极SUPERMESH功率MOSFET
文件页数： 6/9页
文件大小： 363K
代理商： STP9NK60ZFD
STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD - STB9NK60ZFD
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DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.4
2.5
2.5
0.45
0.75
1.15
1.15
4.95
2.4
10
MAX.
4.6
2.7
2.75
0.7
1
1.5
1.5
5.2
2.7
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MIN.
0.173
0.098
0.098
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0.030
0.045
0.045
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MAX.
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0.067
0.204
0.106
0.409
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0.630
28.6
9.8
2.9
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30.6
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16.4
9.3
3.2
1.126
.0385
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1.204
0.417
0.141
0.645
0.366
0.126
TO-220FP MECHANICAL DATA
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参数描述
STP9NK60ZFDFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET
STP9NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP9NK65Z 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP9NK65Z_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FP
STP9NK65ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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