参数资料
型号: STP9NK60ZFD
英文描述: N-CHANNEL 600V 0.85 OHM 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK FAST DIODE SUPERMESH POWER MOSFET
中文描述: N沟道600V的0.85欧姆第7A TO-220/TO-220FP/D2PAK快速二极SUPERMESH功率MOSFET
文件页数: 8/9页
文件大小: 363K
代理商: STP9NK60ZFD
STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD - STB9NK60ZFD
8/9
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
D
2
PAK FOOTPRINT
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
24.4
100
0.059
0.504
0795
0.960
3.937
13.2
0.520
26.4
1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
10.5
15.7
1.5
1.59
1.65
11.4
4.8
3.9
11.9
1.9
50
0.25
23.7
MAX.
10.7
15.9
1.6
1.61
1.85
11.6
5.0
4.1
12.1
2.1
MIN.
0.413
0.618
0.059
0.062
0.065
0.449
0.189
0.153
0.468
0.075
1.574
0.0098 0.0137
0.933
MAX.
0.421
0.626
0.063
0.063
0.073
0.456
0.197
0.161
0.476
0.082
A0
B0
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
T
W
0.35
24.3
0.956
TAPE MECHANICAL DATA
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参数描述
STP9NK60ZFDFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET
STP9NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP9NK65Z 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP9NK65Z_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FP
STP9NK65ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube