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参数资料
| 型号： | STPS10120CFP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | STPS10120CFP |
STPS10120C
Characteristics
3/8
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
(per diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature
(
δ = 0.5, per diode)
P
(W)
F(AV)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 1
δ = 0.1
δ = 0.05
δ = 0.5
δ = 0.2
I
(A)
F(AV)
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
125
150
175
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
R
=30° C/W
th(j-a)
R=R
th(j-a)
th(j-c)
TO-220FPAB
TO-220AB
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
(TO-220AB)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
(TO-220FPAB)
I (A)
M
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =25°C
c
T =75°C
c
T =125°C
c
I (A)
M
0
10
20
30
40
50
60
70
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =25°C
c
T =75°C
c
T =125°C
c
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS10120CT | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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