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参数资料
| 型号： | STPS10120CFP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | STPS10120CFP |
Characteristics
STPS10120C
4/8
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AB)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t (s)
p
Single pulse
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t (s)
p
Single pulse
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 11.
Forward voltage drop versus
forward current (per diode)
I (A)
R
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
102030405060
708090
100
110
120
V (V)
R
T =125°C
j
T =25°C
j
T =50°C
j
T =75°C
j
T =100°C
j
C(pF)
10
100
1000
1
10
100
1000
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
I
(A)
FM
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS10120CT | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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| STPS1045BTRRPBF | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| STPS1045BTRLPBF | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS1045BTRL | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STPS10150 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10150C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High voltage power Schottky rectifier |
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