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参数资料
| 型号： | STPS1545CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | STPS1545CT |
STPS1545C
Characteristics
Doc ID 3503 Rev 7
3/10
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current (per
diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5, per
diode)
P
(W)
F(AV)
0123456789
10
0
1
2
3
4
5
6
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
(A)
F(AV)
R=R
th(j-a)
th(j-c)
R
=15°C/W
th(j-a)
R
=40°C/W
th(j-a)
T
(°C)
amb
T
δ=tp/T
tp
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
I (A)
M
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =50°C
C
T =100°C
C
T =150°C
C
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
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PDF描述 |
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