参数资料
型号: STPS1H100U
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件页数: 4/10页
文件大小: 146K
代理商: STPS1H100U
STPS1H100
Characteristics
3/10
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
P
(W)
F(AV)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 1
δ = 0.1
δ = 0.05
δ = 0.5
δ = 0.2
I(A)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
R
th(j-a)=Rth(j-l)
T
δ=tp/T
tp
R
th(j-a)=100°C/W
R
th(j-a)=120°C/W
SMA
SMB / SMAflat
R
th(j-a)=200°C/W
T
(°C)
amb
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(T )
P
(25°C)
ARM
j
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values) (SMB)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values) (SMA)
I (A)
M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
a=25 °C
T
a=75 °C
T
a=110 °C
IM
t
δ =0.5
SMB
t(s)
I (A)
M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
a=25 °C
T
a=75 °C
T
a=110 °C
IM
t
δ =0.5
SMA
t(s)
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PDF描述
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