参数资料
型号: STPS1L30MF
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-222AA
封装: ROHS COMPLIANT, ST MITE PACKAGE-2
文件页数: 3/7页
文件大小: 92K
代理商: STPS1L30MF
STPS1L30MF
Characteristics
3/7
Figure 1.
Conduction losses versus average
current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
δ = 0.05
δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
P
(W)
F(AV)
I
(A)
F(AV)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
25
50
75
100
125
150
I
(A)
F(AV)
R=R
th(j-a)
th(j-c)
R
=270°C/W
th(j-a)
T
(°C)
amb
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
IM
t
δ=0.5
I (A)
M
t(s)
T =25°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
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