- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31383 > STPS1L60RL (STMICROELECTRONICS) 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STPS1L60RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | STPS1L60RL |
Characteristics
STPS1L60
2/10
Doc ID 7504 Rev 8
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.44 x IF(AV) + 0.12 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
60
V
IF(RMS) Forward rms current
STmite flat
2
A
SMA, DO-41
10
A
IF(AV)
Average forward current
SMA
TL = 130 °C δ = 0.5
1A
DO-41
TL = 120 °C δ = 0.5
STmite flat
TC = 135 °C δ = 0.5
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp =10 ms sinusoidal
40
A
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
1200
W
Tstg
Storage temperature range
- 65 to + 150
°C
Tj
Maximum operating junction temperature (1)
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
150
°C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junction to ambient
SMA
120
°C/W
Lead length = 10 mm
DO-41
100
Rth(j-l)
Junction to lead
SMA
30
°C/W
Lead length = 10 mm
DO-41
45
Rth(j-c)
Junction to case
STmite flat
20
°C/W
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
50
A
Tj = 100 °C
1.5
5
mA
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 1 A
0.57
V
Tj = 100 °C
0.56
Tj = 125 °C
0.5
0.54
Tj = 25 °C
IF = 2 A
0.75
Tj = 100 °C
0.68
Tj = 125 °C
0.6
0.66
dPtot
dTj
<
1
Rth(j-a)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS20150CG-TR | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS20150CG | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS20150CFP | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS2045CR | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS2045CFP | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS1L60ZF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123F 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:750mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| STPS1L60ZFY | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123F 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:570mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| STPS200170TV1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 STPS200170TV1 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS200170TV1Y | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS20100 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。