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参数资料
| 型号： | STPS1L60RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | STPS1L60RL |
STPS1L60
Characteristics
Doc ID 7504 Rev 8
3/10
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
(SMA)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
PF(AV)(W)
T
δ = tp /T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
IF(AV)(A)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
SMA
Rth(j-a) = Rth(j-l)
Rth(j-a) = 120 °C/W
IF(AV)(A)
T
δ = tp /T
tp
Tamb(°C)
Figure 3.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
(DO-41)
Figure 4.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
(STmite flat)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T
δ = tp /T
tp
IF(AV)(A)
Tamb(°C)
Rth(j-a) = Rth(j-l)
DO-41
Rth(j-a) = 100 °C/W
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
IF(AV)(A)
T
δ = tp /T
tp
Rth(j-a) = Rth(j-c)
STmite flat
Rth(j-a) = 250 °C/W
Tamb(°C)
Figure 5.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 6.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
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