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参数资料
| 型号： | STPS20S100CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | STPS20S100CT |
Characteristics
STPS20S100C
4/9
Doc ID 11281 Rev 2
Figure 11.
Forward voltage drop versus forward current (per diode)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (per diode)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (per diode)
(TO-220FPAB)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
TO-220FPAB
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
I (mA)
R
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =50°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
V (V)
R
C(pF)
10
100
1000
1
10
100
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
I
(A)
FM
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS20S100CFP | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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