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参数资料
| 型号： | STPS2530CG-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK, 3-PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | STPS2530CG-TR |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STPS2530C
2/5
Table 4: Thermal Parameters
Table 5: Static Electrical Characteristics (per diode)
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ < 2%
** tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.31 x IF(AV) + 0.0112 IF
2
(RMS)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
Total
2.2
1.3
°C/W
Rth(c)
Coupling
0.3
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR = VRRM
0.15
1.0
mA
Tj = 125°C
80
160
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 12.5A
0.47
0.53
V
Tj = 125°C
0.39
0.45
Tj = 25°C
IF = 25A
0.54
0.64
Tj = 125°C
0.49
0.59
Figure 1: Conduction losses versus average
current
Figure 2: Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5, per diode)
Figure
3:
Normalized
avalanche
power
derating versus pulse duration
Figure
4:
Normalized
avalanche
power
derating versus junction temperature
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
P
(W)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 1
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
I
(A)
F(AV)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
25
50
75
100
125
150
T
(°C)
amb
R
=50°C/W
th(j-a)
R=R
th(j-a)
th(j-c)
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
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