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参数资料
| 型号： | STPS2530CG-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK, 3-PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | STPS2530CG-TR |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STPS2530C
3/5
Figure 5: Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values)
Figure
6:
Relative
variation
of
thermal
impedance junction to case versus pulse
duration
Figure 7: Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical values)
Figure 8: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values)
Figure 9: Forward voltage drop versus forward
current
Figure 10: Thermal resistance junction to am-
bient versus copper surface under tab (epoxy
printed board FR4, Cu = 35m)
IM
t
δ=0.5
I (A)
M
0
25
50
75
100
125
150
175
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
T =25°C
a
T =75°C
a
T =125°C
a
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
I (mA)
R
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
5
10
15
20
25
30
V (V)
R
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =50°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
0.1
1.0
10.0
1
10
100
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S(mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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