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参数资料
| 型号： | STPS30L30CR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, I2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | STPS30L30CR |
STPS30L30CT/CG/CR
2/5
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage cur-
rent
Tj = 25°C
VR =VRRM
1.5
mA
Tj = 125°C
170
350
mA
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF =15 A
0.46
V
Tj = 125°C
IF =15 A
0.33
0.37
Tj = 25°C
IF =30 A
0.57
Tj = 125°C
IF =30 A
0.43
0.5
Pulse test : * tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.24x IF(AV) + 0.009 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
Per diode
Total
1.5
0.8
°C/W
Rth (c)
Coupling
0.1
°C/W
THERMAL RESISTANCE
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
0
2
4
6
8
101214161820
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=50°C/W
T
δ=tp/T
tp
Tamb(°C)
Fig.
2:
Average
current
versus
ambient
temperature (
δ=0.5) (per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS30M100DJF-TR | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS30SM100SFP | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS30SM100SG-TR | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS40100C2FSY1 | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| STPS40100C2FSYHR | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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