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参数资料
| 型号： | STPS30L30CR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, I2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | STPS30L30CR |
STPS30L30CT/CG/CR
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
IM(A)
Tc=25°C
Tc=110°C
Tc=75°C
t(s)
IM
t
δ=0.5
Fig. 4: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values) (per
diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 5: Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse duration.
0
5
10
15
20
25
30
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
VR(V)
IR(mA)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Fig. 6: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
12
5
10
20
50
0.1
1.0
5.0
VR(V)
C(nF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 7: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
200
VFM(V)
IFM(A)
Tj=150°C
(typical values)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 8: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values - per diode).
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(Cu) (cm)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig. 9: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (epoxy printed
circuit board FR4, e(Cu) = 35
m)
(STPS30L30CG).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS30M100DJF-TR | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS30SM100SFP | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS30SM100SG-TR | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS40100C2FSY1 | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| STPS40100C2FSYHR | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STPS30L30CTPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A |
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