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参数资料
| 型号： | STPS30M100DJF-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERFLAT-8 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | STPS30M100DJF-TR |
STPS30M100DJF
Characteristics
Doc ID 16751 Rev 2
3/7
Figure 2.
Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 3.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
0
5
10
15
20
25
30
35
P
(W)
F(AV)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
I
(A)
F(AV)
T
δ = t / T
p
t
p
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
T
δ = t / T
p
t
p
I
(A)
F(AV)
T
(°C)
amb
R= R
th(j-a)
th(j-c)
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 5.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
1.E -03
1.E -02
1.E -01
1.E+00
I (A)
M
t(s)
I
M
t
δ = 0.5
T = 25 °C
c
T = 75 °C
c
T = 125 °C
c
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
Single pulse
t (s)
p
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS30SM100SFP | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS30SM100SG-TR | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS40100C2FSY1 | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| STPS40100C2FSYHR | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| STPS4045CP | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STPS30M100ST | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V 30A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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