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参数资料
| 型号： | STPS40L15CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | STPS40L15CT |
STPS40L15CW/CT
2/5
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
VR =VRRM
6mA
Tj = 100°C
200
500
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25
°CIF =19 A
0.41
V
Tj=25
°CIF =40 A
0.52
Tj = 125°C
IF =19 A
0.28
0.33
Tj = 125°C
IF =40 A
0.42
0.50
Pulse test : * tp = 380
s, δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.18xIF(AV) + 0.008 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
1.6
°C/W
Total
0.85
Rth (c)
Coupling
0.1
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0
2
4
6
8
1012
1416182022
0
1
2
3
4
5
6
7
8
PF(av)(W)
IF(av) (A)
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ=1, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS40L45CG | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS40L45CT | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS40L45CG-TR | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS5H100B-1 | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS60H100CT | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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