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参数资料
| 型号： | STPS40L15CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | STPS40L15CT |
STPS40L15CW/CT
3/5
1.0E-4
1.0E-3
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp (s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 6: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (per diode).
02468
10
12
14
16
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
IR(mA)
Tj=100°C
Tj=25°C
VR(V)
Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values per diode).
12
5
10
20
0.1
1.0
5.0
VR(V)
C(nF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values per diode).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1.0
10.0
100.0
200.0
VFM(V)
IFM(A)
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=75°C
Fig. 9: Forward voltage drop versus forward
current (typical values per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
1
10
100
200
IFM(A)
Tj=100°C
VFM(V)
Fig. 10: Forward voltage drop versus forward
current (typical maximum per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
50
100
150
200
250
t(s)
IM(A)
Tc=50°C
Tc=75°C
Tc=110°C
IM
t
δ=0.5
Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values per
diode).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS40L45CG | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS40L45CT | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS40L45CG-TR | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS5H100B-1 | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS60H100CT | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STPS40L15CW_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP OR-ing POWER SCHOTTKY DIODE |
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