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参数资料
| 型号： | STPS41L60CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | STPS41L60CT |
Characteristics
STPS41L60C
2/8
1
Characteristics
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
ΔTj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.42 x IF(AV) + 0.007 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Thermal resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
Per diode
Total
1.5
0.8
° C/W
Rth (c)
Coupling
0.1
Table 3.
Static electrical characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
600
A
Tj = 125° C
100
175
mA
VF
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 20 A
0.60
V
Tj = 125° C
IF = 20 A
0.50
0.58
Tj = 25° C
IF = 40A
0.77
Tj = 125° C
IF = 40A
0.67
0.71
1.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
P
(W)
F(av)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(av)
I
(A)
F(av)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
25
50
75
100
125
150
R
th(j-a)=Rth(j-c)
R
th(j-a)=50 °C/W
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
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PDF描述 |
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