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参数资料
| 型号： | STPS41L60CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | STPS41L60CT |
STPS41L60C
Characteristics
3/8
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
I (A)
M
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Tc=25 °C
Tc=75 °C
Tc=125 °C
I M
t
δ =0.5
t(s)
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
Figure 7.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied
(typical values)
Figure 8.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
I (mA)
R
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=75°C
Tj=50°C
V (V)
R
C(nF)
0.1
1.0
10.0
1
10
100
F=1 MHz
V
OSC= 30 mV
Tj=25 °C
V (V)
R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS41L60CR | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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