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参数资料
| 型号： | STR710FZT3 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 66 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| 封装： | 20 X 20 MM, MS-026-BFB, LQFP-144 |
| 文件页数： | 41/78页 |
| 文件大小： | 2018K |
| 代理商： | STR710FZT3 |
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Electrical parameters
STR71xF
46/78
4.3.3
Memory characteristics
Flash memory
V33 = 3.0 to 3.6V, TA = -40 to 85 °C unless otherwise specified.
Notes:
1.
TA=45°C after 0 cycles. Guaranteed by characterization, not tested in production.
2.
Guaranteed by design, not tested in production
Table 24.
Flash memory characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Value
Unit
Min.
Typ
Max1)
tPW
Word Program
40
s
tPDW
Double Word Program
60
s
tPB0
Bank 0 Program (256K)
Double Word Program
1.6
2.1
s
tPB1
Bank 1 Program (16K)
Double Word Program
130
170
ms
tES
Sector Erase (64K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
2.3
1.9
4.0
3.3
s
tES
Sector Erase (8K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
0.7
0.6
1.1
1.0
s
tES
Bank 0 Erase (256K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
8.0
6.6
13.7
11.2
s
tES
Bank 1 Erase (16K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
0.9
0.8
1.5
1.3
s
tRPD
2)
Recovery when disabled
20
s
tPSL
2)
Program Suspend Latency
10
s
tESL
2)
Erase Suspend Latency
300
s
NEND_B0
Endurance (Bank 0
sectors)
10
kcycles
NEND_B1
Endurance (Bank 1
sectors)
100
kcycles
tRET
Data Retention (Bank 0
and Bank 1)
TA=85°
20
Years
tESR
Erase Suspend Rate
Min time from Erase
Resume to next Erase
Suspend
20
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STR711FZ1T3TR | 32-BIT, FLASH, 66 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| STR711FZH1TR | 32-BIT, FLASH, 66 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA144 |
| STR712FR0H1 | 32-BIT, FLASH, 66 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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