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参数资料
| 型号： | STTA312B |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | STTA312B |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Tests conditions
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case thermal resistance
6.5
°C/W
P1
Conduction power dissipation
IF(AV) = 3A,
δ = 0.5
Tc = 80°C
6.7
W
Pmax
Total power dissipation
Pmax = P1 + P3
(P3 = 10% P1)
Tc = 76°C
7.5
W
THERMAL AND POWER DATA
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VF **
Forward voltage drop
IF = 3 A
Tj = 25
°C1.8
V
IF = 3 A
Tj = 125
°C
1.15
1.7
IR *
Reverse leakage current
VR = 0.8
X VRRM
Tj = 25
°C20
A
Tj = 125
°C
150
400
A
Vto
Threshold voltage
Ip < 3.IAV
Tj = 125°C
1.15
V
rd
Dynamic resistance
185
m
Test pulses :
* tp = 380
s, δ < 2%
** tp = 5 ms ,
δ < 2%
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = Vto x IF(AV) + rd x IF
2
(RMS)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
trr
Tj = 25°C
IF= 0.5A IR=1A Irr= 0.25A
IF= 1A
dIF/dt= 50A/
s
VR= 30V
65
115
ns
IRM
Maximum
recovery current
Tj = 125°C
IF= 3A VR= 600V
dIF/dt = -16A/
s
dIF/dt = -50A/
s6.0
3.6
A
S factor
Softness factor
Tj = 125°C
VR= 600V
IF= 3A
dIF/dt = -50A/
s
1.2
-
TURN-OFF SWITCHING
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF=3A dIF/dt = 16A/
s
Measured at 1.1 x VFmax
900
ns
VFP
Peak forward voltage
35
V
TURN-ON SWITCHING
STTA312B
2/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTA506F | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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