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参数资料
| 型号： | STTA312B |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | STTA312B |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IF(av) (A)
P1(W)
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
3E+1
VFM(V)
IFM(A)
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward cur-
rent (maximum values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
10
20304050
6070
8090
100
0
2
4
6
8
10
12
14
dIF/dt(A/s)
IRM(A)
VR=600V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
Fig. 4: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(90% confidence).
0
1020
3040506070
8090
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
S factor
IF<2*IF(av)
VR=600V
Tj=125°C
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Softness factor tb/ta versus dIF/dt (typical
values).
0
10
2030405060
708090
100
200
300
400
500
600
trr(ns)
VR=600V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence).
STTA312B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STTA6006TV1 | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTA312B-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:TURBOSWITCHTM ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA39A135.0000 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral IC |
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