参数资料
型号: STTH1002CG
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, D2PAK-3
文件页数: 4/8页
文件大小: 110K
代理商: STTH1002CG
STTH1002C
4/8
t(ns)
rr
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
Fig. 6: Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values, per diode).
I(A)
RM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
Fig. 7: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(typical values, per diode).
IRM
Qrr
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
Q;
rr I
[T ]/Q ;I
[T =125°C]
RM
j
rr RM
j
I =5A
F
V =160V
R
Fig. 8:
Dynamic parameters versus junction
temperature.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
R
(°C/W)
th(j-a)
S(Cu)(cm)
Fig. 9-2: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, eCU: 35m) for DPAK.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
02468
10
12
14
16
18
20
S(Cu)(cm)
R
(°C/W)
th(j-a)
Fig. 9-1: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, eCU: 35m) for D
2PAK.
Q (nC)
rr
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
Fig. 5: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(typical values, per diode).
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PDF描述
STTH1002CB-TR 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH1003SG-TR 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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参数描述
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