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参数资料
| 型号： | STTH106 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | STTH106 |
STTH106
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IF(av)(A)
P(W)
δ = 0.05 δ
= 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
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01
23
45
VFM(V)
Tj=25°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Typical values)
Tj=150°C
(Typical values)
IFM(A)
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current
.
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0.9
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1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Zth(j-a)/Rth(j-a)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
FR4, Leads = 10mm)
0
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dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
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dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence).
0
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400
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dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
Qrr(nC)
Fig. 6: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(90% confidence).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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