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参数资料
| 型号： | STTH106 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | STTH106 |
STTH106
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dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
VR=400V
Tj=125°C
S factor
Fig. 7:
Softness factor versus dIF/dt (typical
values).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
50
75
100
125
Tj(°C)
IRM
Qrr
S factor
IF=IF(av)
VR=400V
Reference: Tj=125°C
Fig.
8:
Relative
variation
of
dynamic
parameters versus junction temperature.
0
5
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15
20
25
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40
60
80
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160
180
200
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
Tj=125°C
VFp(V)
Fig. 9: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt (90% confidence).
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140
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180
200
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
VFR=1.1 x VF max.
Tj=125°C
trr(ns)
Fig. 10:
Forward recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
1
10
100
1
10
100
1000
VR(V)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
C(pF)
Fig. 11:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1502DI | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH3006PI | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH3006TPI | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH30R04G | 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH61R04TV2 | 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STTH108_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High voltage ultrafast rectifier |
| STTH108A | 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH108RL | 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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