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参数资料
| 型号： | STTH10LCD06D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | STTH10LCD06D |
Characteristics
STTH10LCD06
2/10
Doc ID 15858 Rev 2
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.20 x IF(AV) + 0.040 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values per diode at 25 °C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS)
Forward current rms
DPAK
18
A
TO-220AC, TO-220FPAC, D2PAK
35
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
Tc = 105 °C
TO-220AC, DPAK, D2PAK
10
A
Tc = 55 °C
TO-220FPAC,
10
A
IFSM
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal
100
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature(1)
175
°C
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
dP
tot
dT
j
---------------
1
R
th j
a
–
()
--------------------------
<
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC, DPAK, D2PAK
3.5
°C/W
TO-220FPAC
6
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
--
5
A
Tj = 150 °C
-
13
130
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 10 A
--
2
V
Tj = 150 °C
-
1.3
1.6
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
-35
50
ns
IRM
Reverse recovery current
IF = 10 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 400 V, Tj = 125 °C
-2.0
2.8
A
tfr
Forward recovery time
IF = 10 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
-
230
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 10 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
-4-
V
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