参数资料
型号: STTH10LCD06D
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 4/10页
文件大小: 172K
代理商: STTH10LCD06D
STTH10LCD06
Characteristics
Doc ID 15858 Rev 2
3/10
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
012
345678
9
10
11
12
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
P
(W)
F(AV)
I
(A)
F(AV)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
T
j=25°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Typical values)
T
j=150°C
(Typical values)
I
(A)
FM
V
(V)
FM
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAC)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
TO-220AC, DPAK and D PAK
2
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Single pulse
TO-220FPAC
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
10
100
1000
IF = 10A
V
R=400V
T
j = 125 °C
T
j = 25 °C
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
IF = 10A
V
R=400V
T
j = 125 °C
T
j = 25 °C
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
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PDF描述
STTH10LCD06SB-TR 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH10R04D 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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