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参数资料
| 型号： | STTH12003TV |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 60 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | STTH12003TV |
0
1020304050607080
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
IF(av) (A)
P1(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
Fig. 1: Conduction losses versus average current
(per diode).
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
1
10
100
600
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Typical values
Tj=25°C
Maximum values
Tj=125°C
Maximum values
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current (per diode)
.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
trr(ns)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence, per diode).
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
5
10
15
20
25
30
dIF/dt(A/s)
IRM(A)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence, per diode).
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
S factor
VR=200V
Tj=125°C
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Softness factor (tb/ta) versus dIF/dt (typical
values, per diode).
STTH12003TV
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PDF描述 |
|---|---|
| STTH506DTI | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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| STZ6.2N | 6.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SUF15G | 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SUM8.2FSMS | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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参数描述 |
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