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参数资料
| 型号： | STTH1210G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | STTH1210G |
Characteristics
STTH1210
2/11
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.3 x IF(AV) + 0.033 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
1000
V
IF(RMS)
RMS forward current
TO-220AC / D2PAK / TO-220FPAC
30
A
TO-220AC Ins
20
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
TO-220AC / D2PAK
Tc = 125° C
12
A
TO-220FPAC
Tc = 40° C
TO-220AC Ins
Tc = 95° C
IFRM
Repetitive peak forward current
tp = 5 s, F = 5 kHz square
120
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
80
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC / D2PAK
1.9
°C/W
TO-220FPAC
5.4
TO-220AC Ins
3.1
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
10
A
Tj = 125° C
3
30
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 12 A
2.0
V
Tj = 100° C
1.40
1.8
Tj = 150° C
1.30
1.7
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH12R06DI | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH12R06G-TR | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH12R06FP | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH1512D | 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH1512W | 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH1210G-TR | 功能描述:整流器 Ultrafast Recovery Hi Vltg Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH1210-Y | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Automotive ultrafast recovery - high voltage diode |
| STTH1212 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH1212D | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH1212G | 功能描述:整流器 Ultrafast Recovery 1200 V Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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