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参数资料
| 型号： | STTH1210G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | STTH1210G |
Characteristics
STTH1210
4/11
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
I(A)
RM
0
5
10
15
20
25
30
35
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R=600V
T
j=125°C
I
F= 2 x IF(AV)
I
F= IF(AV)
I
F=0.5 x IF(AV)
dI /dt(A/s)
F
t (ns)
rr
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R=600V
T
j=125°C
I
F=0.5 x IF(AV)
I
F= 2 x IF(AV)
I
F=IF(AV)
dI /dt(A/s)
F
Figure 7.
Reverse recovery charges
versus dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Softness factor versus dIF/dt
(typical values)
Q (C)
rr
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=0.5 x IF(AV)
I
F= IF(AV)
I
F= 2 x IF(AV)
V
R=600V
T
j=125°C
dI /dt(A/s)
F
S factor
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F =2 x IF(AV)
V
R=600V
T
j=125°C
dI /dt(A/s)
F
Figure 9.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 10.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S
factor
I
F = IF(AV)
V
R=600V
Reference: T
j=125°C
t
RR
T (°C)
j
V
(V)
FP
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
100
200
300
400
500
I
F = IF(AV)
T
j=125°C
dI /dt(A/s)
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH12R06DI | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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