参数资料
型号: STTH1L06U
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: SMB, 2 PIN
文件页数: 2/9页
文件大小: 110K
代理商: STTH1L06U
Characteristics
STTH1L06
2/9
Doc ID 8321 Rev 4
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.89 x IF(AV) + 0.165 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) Forward rms voltage
DO-41
10
A
SMA / SMB
7
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
DO-41
Tc = 120 °C
1A
SMA
Tc = 135 °C
SMB
Tc = 145 °C
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms sinusoidal DO-41
tp = 10 ms sinusoidal SMA / SMB
30
20
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value (max)
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
L = 10 mm
DO-41
45
°C/W
SMA
30
SMB
25
Rth(j-a)
Junction to ambient (1)
L = 10 mm
DO-41
70
1.
Rth(j-a) is measured with a copper area S = 5 cm2 (see Figure 14.)
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = 600 V
1
A
Tj = 150 °C
10
75
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 1 A
1.3
V
Tj = 150 °C
0.85
1.05
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参数描述
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