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参数资料
| 型号： | STTH1L06U |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STTH1L06U |
Characteristics
STTH1L06
4/9
Doc ID 8321 Rev 4
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction ambient versus
pulse duration (epoxy FR4)
Figure 6.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (90% confidence)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
SMA
T
δ=tp/T
tp
Zth(j-a)/Rth(j-a)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
0.0
0.3
0.5
0.8
1.0
1.3
1.5
1.8
2.0
2.3
2.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Figure 7.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence)
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (90% confidence)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
Qrr(nC)
Figure 9.
Softness factor versus dIF/dt
(typical values)
Figure 10.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
VR=400V
Tj=125°C
S factor
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
25
50
75
100
125
Tj(°C)
IRM
QRR
S factor
IF=IF(av)
VR=400V
Reference: Tj=125°C
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PDF描述 |
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