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参数资料
| 型号： | STTH1R02QRL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | STTH1R02QRL |
Characteristics
STTH1R02
2/10
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.68 x IF(AV) + 0.08 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values at Tj = 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
200
V
IFRM
Repetitive peak forward current
DO-41(1)
tp = 5 s, F = 5 kHz
30
A
SMA / SMB
IF(RMS)
RMS forward current
DO-41 / DO-15
50
A
SMA /SMB
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
DO-41
Tlead = 110° C
1.5
A
DO-15
Tlead = 110° C
SMA
Tc = 110° C
SMB
Tc = 110° C
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
60
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
1.
On infinite heatsink with 10 mm lead length
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
Lead Length = 10 mm on infinite heatsink
DO-41
45
°C/W
DO-15
45
Rth(j-c)
Junction to case
SMA
30
SMB
30
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
3
A
Tj = 125° C
2
20
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 4.5 A
1.2
V
Tj = 25° C
IF = 1.5 A
0.89
1
Tj = 100° C
0.76
0.85
Tj = 150° C
0.70
0.80
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SHD307901D | 45 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259AA |
| SHD307901P | 45 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259AA |
| SA60CA.TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA64A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA85.TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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