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参数资料
| 型号： | STTH1R02QRL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | STTH1R02QRL |
Characteristics
STTH1R02
4/10
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (SMB)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (DO-41)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
SMB
S
cu=1cm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-41
Lleads=10mm
tP(s)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (DO-15)
Figure 8.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-15
Leads =10mm
tP(s)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
Figure 9.
Reverse recovery charges
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
Q
RR(nC)
I
F=1.5A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F=1.5A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SHD307901D | 45 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259AA |
| SHD307901P | 45 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259AA |
| SA60CA.TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA64A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA85.TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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