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参数资料
| 型号： | STTH1R04U |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | STTH1R04U |
Characteristics
STTH1R04
4/10
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead
versus pulse duration, SMA
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead
versus pulse duration, SMB
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-l)/Rth(j-l)
Single pulse
SMA
S
cu=1cm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Zth(j-l)/Rth(j-l)
Single pulse
SMB
Scu=1cm
tP(s)
Figure 7.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
OSC=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
10
100
1000
Q
RR(nC)
I
F= 1 A
V
R=320 V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
Figure 9.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F= 1 A
V
R=320 V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
10
100
1000
I
RM(A)
I
F= 1 A
V
R=320 V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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