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参数资料
| 型号： | STTH1R04U |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | STTH1R04U |
STTH1R04
Characteristics
5/10
Figure 11.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 12.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 13.
Forward recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 14.
Thermal resistance versus
lead length (DO-41)
Figure 15.
Thermal resistance junction to
ambient versus lead length, DO-15
Figure 16.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead, SMA, SMB, (epoxy
FR4, copper thickness = 35 m)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F= 1 A
V
R=320 V
Tj(°C)
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
Fp(V)
I
F=1 A
T
j=125 °C
dIF/dt(A/s)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t
FR(ns)
I
F=1 A
T
j=125 °C
dIF/dt(A/s)
0
20
40
60
80
100
120
5
1015
2025
R
th(°C/W)
R
th(j-a)
R
th(j-l)
DO-41
Lleads(mm)
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
th(j-a)(°C/W)
DO-15
Lleads(mm)
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
th(j-a) (°C/W)
SMB
SMA
SCU(cm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STTH3R04S | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| STTH3R04U | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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