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参数资料
| 型号： | STTH200L04TV1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ISOTOP, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | STTH200L04TV1 |
Characteristics
STTH200L04TV1
2/7
1
Characteristics
When diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.8 x I
F(AV) + 0.0033 IF
2
(RMS)
Table 2.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value (max).
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
0.50
°C/W
Total
0.30
Rth(c)
Coupling
0.10
Table 3.
Static electrical characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2%
Reverse leakage
current
Tj = 25° C
VR = VRRM
100
A
Tj = 125° C
100
1000
VF
(2)
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 100 A
1.2
V
Tj = 150° C
0.83
1.0
Table 4.
Dynamic characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min Typ Max
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25° C
IF = 1 A dIF/dt = 50 A/s
VR = 30 V
75
100
ns
IF = 1 A dIF/dt = 200 A/s
VR = 30 V
45
60
IRM
Reverse recovery
current
Tj = 125° C
IF = 100 A
VR = 200 V
dIF/dt = 100 A/s
18
A
Sfactor
Softness factor
Tj = 125° C
IF = 100 A
VR = 200 V
dIF/dt = 100 A/s
0.4
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25° C
IF = 100 A
dIF/dt = 200 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
800
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25° C
IF = 100 A
dIF/dt = 200 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
2.6
V
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