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参数资料
| 型号： | STTH200L04TV1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ISOTOP, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | STTH200L04TV1 |
STTH200L04TV1
Characteristics
3/7
Figure 1.
Conduction losses versus
average forward current (per diode)
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (per diode)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140 150
P(W)
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
IF(AV)(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IFM(A)
T
j=25°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Typical values)
T
j=150°C
(Typical values)
VFM(V)
I
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values, per
diode)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Zth(j-c) /Rth(j-c)
Single pulse
tP(s)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
IRM (A)
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
dIF/dt(A/s)
Figure 5.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values, per diode)
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values, per diode)
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t rr (ns)
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
dIF/dt(A/s)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
(nC)
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
dIF/dt(A/s)
rr
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PDF描述 |
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