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参数资料
| 型号： | STTH212RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | DO-201AD, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | STTH212RL |
STTH212
1 Electrical characteristics
3/9
Table 4.
Dynamic Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 1A dIF/dt = -100 A/s VR =30V
75
ns
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 2A
dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
500
ns
VFP
Forward recovery
voltage
30
V
Figure 1.
Conduction losses versus average
forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (Epoxy
printed circuit board FR4,
LLeads = 10mm)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (Epoxy
printed circuit board FR4,
SCU =1cm
2)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
P(W)
δ = 0.05
δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 1
δ = 0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =125°C
(typical values)
j
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
DO-201AD
Lleads=10mm
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
SMB
SCu=1cm
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH212 | 2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
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| STTH2R06A | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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