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参数资料
| 型号： | STTH212RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | DO-201AD, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | STTH212RL |
1 Electrical characteristics
STTH212
4/9
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (Epoxy
printed circuit board FR4,
SCU =1cm
2)
Figure 6.
Reverse recovery current versus
dIF/dt (typical values)
Figure 7.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
Figure 9.
Softness factor versus dIF/dt
(typical values)
Figure 10. Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
SMC
SCu=1cm
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
R =600V
T
j=125°C
I
F=2 x I
F(AV)
I
F=2 x I
F(AV)
I
F=0.
5 xI
F(AV )
I
F=0.
5 xI
F(AV )
I
F=I
F(AV)
I
F=I
F(AV)
I
(A)
RM
dl /dt(A/s)
F
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
VR=600V
Tj=125°C
IF=0.5 x IF(AV)
IF=2 x IF(AV)
IF=IF(AV)
trr(ns)
dl /dt(A/s)
F
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Qrr(nC)
V
R =600V
T
j=125°C
I
F=I
F(AV)
I
F=0.
5 x I
F(AV)
I
F=2 x I
F(AV)
dl /dt(A/s)
F
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
SFACTOR
I
F=I
F(AV)
V
R =600V
T
j=125°C
dl /dt(A/s)
F
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
50
75
100
125
Tj(°C)
I
RM
Q
RR
S
FAC TO R
I
F=I
F(AV)
V
R =600V
Reference:T
j=125°C
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