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参数资料
| 型号： | STTH3L06U |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STTH3L06U |
STTH3L06
2/10
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)
Table 4: Thermal Parameters
Table 5: Static Electrical Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.89 x IF(AV) + 0.055 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) RMS forward current
DO-201AD / SMB / SMC
10
A
DPAK
6
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
DO-201AD
Tl = 100°C
3
A
DPAK
Tl = 155°C
SMB
Tl = 80°C
SMC
Tl = 100°C
IFSM
Surge non repetitive forward current
DO-201AD
tp = 10ms
sinusoidal
70
A
SMB / SMC
60
DPAK
40
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
DO-201AD
L = 10 mm
20
°C/W
DPAK
5.5
SMB
25
SMC
20
Rth(j-a)
Junction to ambient (see fig. 13)
DO-201AD
L = 10 mm
75
°C/W
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR = VRRM
3A
Tj = 150°C
15
100
VF
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 3A
1.3
V
Tj = 150°C
0.85
1.05
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 1A dIF/dt = -50 A/s VR =30V
60
85
ns
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 3A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
100
ns
VFP
Forward recovery
voltage
IF = 3A
dIF/dt = 100 A/s
7.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH3L06B-TR | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH5L06RL | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH806TTI | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SU2L | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SU4L | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH3L06UFY | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMBFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBflat 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| STTH3R02 | 功能描述:整流器 ULTRAFAST RECOVERY RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH3R02AFY | 功能描述:DIODE UFAST 200V 3A SOD128 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.02V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.6μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:SOD-128 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| STTH3R02Q | 功能描述:整流器 Recovery Diode Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH3R02QRL | 功能描述:整流器 high voltage diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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