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参数资料
| 型号： | STTH3R06-RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | STTH3R06-RL |
STTH3R06
2/9
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)
Table 4: Thermal Parameters
Table 5: Static Electrical Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.03 x IF(AV) + 0.09 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) RMS forward current
10
A
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
DO-201AD
Tl = 80°C
3
A
SMB
Tl = 55°C
SMC
Tl = 80°C
IFSM
Surge non repetitive forward current
DO-201AD
tp = 10ms
sinusoidal
55
A
SMB / SMC
45
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
DO-201AD
L = 10 mm
20
°C/W
SMB
25
SMC
20
Rth(j-a)
Junction to ambient (see fig. 13)
DO-201AD
L = 10 mm
75
°C/W
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR = VRRM
3A
Tj = 150°C
15
100
VF
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 3A
1.7
V
Tj = 150°C
1.0
1.25
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 0.5A IRR = 0.25A IR = 1A
30
ns
IF = 1A dIF/dt = -50 A/s VR =30V
35
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 3A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
100
ns
VFP
Forward recovery
voltage
IF = 3A
dIF/dt = 100 A/s
10
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| STTH4R02B | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH4R02U | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| STTH4R02D | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH506B | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STTH3R06U | 功能描述:整流器 RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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