参数资料
型号: STTH3R06-RL
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封装: PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/9页
文件大小: 89K
代理商: STTH3R06-RL
STTH3R06
3/9
Figure 1: Conduction losses versus average
current
Figure 2: Forward voltage drop versus forward
current
Figure 3: Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
printed circuit FR4, Lleads = 10mm, SCU=1cm
2)
Figure 4: Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 5: Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 6: Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
P(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 1
δ = 0.1
I
(A)
F(AV)
δ = 0.5
δ = 0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =150°C
(typical values)
j
T =25°C
(maximum values)
j
T =150°C
(maximum values)
j
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z/R
th(j-a)
t (s)
p
DO-201AD
L
= 10mm
leads
SMB
S
= 1cm
Cu
2
SMC
S
= 1cm
Cu
2
Single pulse
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
I =0.25 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
rr
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
I =2 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(A/s)
F
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q (nC)
rr
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(A/s)
F
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