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参数资料
| 型号： | STTH506DTI |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | STTH506DTI |
STTH506TDI
4/5
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
IRM
S
Fig. 8: Relative variation of dynamic parameters
versus junction temperature (reference: Tj = 125°C).
V
(V)
FP
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
dI /dt(A/s)
F
Fig. 9: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt (typical values).
t (ns)
fr
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
100
200
300
400
500
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
dI /dt(A/s)
F
Fig. 10:
Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values).
S
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
Fig. 7: Reverse recovery softness factor versus
dIF/dt (typical values).
C(pF)
1
10
100
1
10
100
1000
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
Fig. 11: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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