参数资料
型号: STTH802B
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, DPAK-3
文件页数: 5/11页
文件大小: 144K
代理商: STTH802B
STTH802
Characteristics
3/11
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
25
30
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
17
22
IRM
Reverse recovery current
IF = 8 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 160 V, Tj = 125 °C
5.5
7
A
tfr
Forward recovery time
IF = 8 A, dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
150
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 8 A, dIF/dt = 50 A/s,
Tj = 25 °C
1.5
V
Figure 1.
Peak current versus duty cycle
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values)
0
20
40
60
80
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
M(A)
T
d=tp/T
tp
I
M
T
δ=tp/T
tp
I
M
P = 2 W
P = 1 W
P = 5 W
δ
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
Figure 3.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration (TO-220AC,
DPAK, D2PAK)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220AC
DPAK
2
tp(s)
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