参数资料
型号: STTH802B
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, DPAK-3
文件页数: 6/11页
文件大小: 144K
代理商: STTH802B
Characteristics
STTH802
4/11
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration
(TO-220FPAC)
Figure 6.
Junction capacitanceversus
reverse applied voltage (typical
values)
0.0
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220FPAC
tp(s)
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
Figure 7.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
100
1000
Q
RR(nC)
I
F=8A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F=8A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
Figure 9.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Dynamic parameters versus
junction temperature
0
2
4
6
8
10
12
10
100
1000
I
RM(A)
I
F=8A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F=8A
V
R=160V
Tj(°C)
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